Un intérêt nouveau pour les semi-conducteurs poreux a émergé dans la communauté scientifique dans les années 90, notamment grâce à la découverte de la photoluminescence du Si poreux. Les procédés électrochimiques sont devenus des méthodes phares de nano-structuration de la plupart des semi-conducteurs (Si, GaAs, InP, etc…) et ont permis la génération de réseaux poreux auto-ordonnés (Al₂O₃, TiO₂, etc…). Ils ont dès lors été largement étudiés car ils ont ouvert des perspectives pour la fabrication de nano-objets à propriétés nouvelles, en particulier électroniques et optiques. Par la suite, les domaines d’applications potentielles de ces structures anodiques poreuses, n’ont cessé de croître et d’évoluer. En particulier, le Si poreux dotés de fonctionnalités variées a révélé un potentiel considérable pour des applications en opto- et microélectronique, systèmes, capteurs, matériaux pour l’énergie, ainsi que pour la nanomédecine.

Aujourd’hui, le silicium et les semi-conducteurs poreux sont au cœur des intérêts scientifiques de nombreuses équipes de recherche dans le monde entier, attirant l’attention de chimistes, de physiciens, de biologistes et de médecins.

COMITE SCIENTIFIQUE