En parallèle des techniques classiques de dépôts sous vide, la CMNF a également investi ces dernières années dans des techniques alternatives.
En effet, nous réalisons des dépôts localisés par écriture directe en utilisant la technique d’impression jet d’encre, technique encore peu répandue dans le réseau Renatech. Notre machine est équipée d’une colonne d’impression à trois têtes, deux têtes multibuses (128 buses) et une tête monobuse, permettant de gagner en rapidité d’impression et en réalisation de motifs complexes. Nous l’utilisons dans deux grands domaines d’application qui sont:
-l’électronique flexible avec la réalisation de composants et circuits actifs ou passifs
-la biologie avec des dépôts de couches semi-réflectives pour la détection d’activités enzymatiques
Par ailleurs, nous développons des dépôts électrochimiques d’or et de cuivre en vue d’effectuer des dépôts épais, non réalisables par évaporation ou pulvérisation.
Savoir-faire: quelques points marquants
– Transistors en technologie graphene ou nanotubes de carbone (formulées par Cambridge) par impression jet d’encre
1. Graphene Field Effect Transistors (carbon group), canal à l’encre graphène, électrodes à l’encre Ag, diélectrique en parylène C traité par plasma SF6
– Développer des dispositifs passifs sur flexible par impression jet d’encre
2. Dispositif passif sur flexible, 1µm d’épaisseur, Recuit : 150°C 40min (Carbon group)
– Organisation matricielle de capteurs biomédicaux sur substrat flexible
3. Dispositif sur flexible: 1µm d’épaisseur, largeur de ligne 200µm, recuit : 150°C 40min. (groupe CSAM)
– Electrolyse d’Au et de Cu pour la réalisation de couches épaisses (quelques µm à plusieurs centaines de µm) à des fins d’épaississements, de ponts à air, … Les dépôts sont possibles en courant continu ou pulsé, en pleines plaques ou localisés à travers un masque de résine.
4. Réalisation d’un pont à air avec 3.5 µm d’électrolyse Au sur un transistor HEMT multi-doigts (thème GaN)
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