La zone photolithographie est équipée de 2 aligneurs de masques et de substrats (Suss MicroTec MA6/BA6) avec alignement en face avant  (0,5µm) ou face arrière (1µm) ainsi qu’un couplage pour la thermo-compression ou le collage anodique (SB6e). L’utilisation en UV permet la réalisation de motifs à partir de 800 nm et l’utilisation en Deep UV à partir d’envion 500 nm.

Expertises et savoir-faire: quelques points marquants

– Technologie pont à air métallique par électrolyse (2 à 5µm) à l’aide d’un bicouche de résine.

 1.  Pont à air , electrolyse d’Au de 2µm (équipe optoélectronique)

– Tri couche casquette pour lift off des dépôts métalliques réalisés par pulvérisation

2. Lift off d’un dépôt d’Au de 3µm réalisé par pulvérisation cathodique (équipe NAM6)

– Résines épaisses (SPR, AZ15NXT) pour la réalisation de gravures très profondes jusqu’au Via-hole par procédé de gravure sèche profonde

3. Structures à fort rapport d’aspect SPR220 4µm sur Si (équipe CSAM)

 

Expertises et savoir-faire: autres

-Réalisation de masques de résines structurées (de 300 nm à quelques 40 µm d’épaisseur) pour la gravure sèche (ICP, RIE, DRIE, RIBE) ou humide des matériaux.

-Réalisation de bi ou tricouches de résines en tant que masques de protection pour l’implantation, pour les dépôts métalliques (évaporation ou pulvérisation par la technique lift- off), pour les electrolyses (Au, Cu, …)

-Réalisation de recuits spécifiques avec contrôle des rampes  de température permettant de minimiser les contraintes dans le polymère ou pour le transfert de matériaux (graphène, parylène,…).

-Utilisation de résines épaisses (3 à 5µm) en tant que protection face avant lors des découpes mécaniques ou laser.