{"id":5798,"date":"2014-03-05T10:47:08","date_gmt":"2014-03-05T08:47:08","guid":{"rendered":"https:\/\/www.iemn.fr\/?p=5798"},"modified":"2014-03-05T11:17:04","modified_gmt":"2014-03-05T09:17:04","slug":"une-combinaison-record-en-terme-de-resistance-a-letat-passant-et-de-tension-de-claquage","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/actualites\/une-combinaison-record-en-terme-de-resistance-a-letat-passant-et-de-tension-de-claquage.html","title":{"rendered":"Une combinaison record en terme de r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant et de tension de claquage"},"content":{"rendered":"

Combinaison de faible r\u00e9sistance d\u2019acc\u00e8s et de forte tension de claquage sur des transistors \u00e0 base de GaN sur substrat de silicium<\/h3>\n

L\u2019Institut d\u2019Electronique, de Micro\u00e9lectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN<\/span><\/a><\/span> bas\u00e9e en Belgique ont annonc\u00e9 une combinaison record en terme de r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant et de tension de claquage sur des transistors \u00e0 double h\u00e9t\u00e9rojonction utilisant un canal en GaN et une couche de barri\u00e8re en AlN dont la croissance est r\u00e9alis\u00e9e sur substrat de silicium (N. Herbecq et al, Appl. Phys. Express, 034103, 2014).<\/span><\/p>\n

Les deux \u00e9quipes sont parvenues \u00e0 ma\u00eetriser le probl\u00e8me de conduction parasite sous tr\u00e8s fort champ \u00e9lectrique par gravure localis\u00e9e du substrat en face arri\u00e8re sp\u00e9cifiquement entre les \u00e9lectrodes de grille et de drain. Cette innovation technologique coupl\u00e9e \u00e0 une configuration de couche d\u2019\u00e9pitaxie optimis\u00e9e pour d\u00e9livrer de forte densit\u00e9 de courant leur a permis de d\u00e9montrer une combinaison unique avec une tension de claquage de 1.9 kV associ\u00e9e \u00e0 une r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant de 1.6 m\u2126cm2.<\/p>\n

Les chercheurs pensent que cette approche pourrait permettre d\u2019atteindre 3 kV sur des composants GaN-sur-silicium par l\u2019extension de la distance grille-drain \u00e0 30 \u00b5m tout en maintenant une faible r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant inf\u00e9rieure \u00e0 5m\u03a9-cm2. Ceci permettrait d\u2019envisager l\u2019utilisation de cette fili\u00e8re pour des applications au-del\u00e0 de 1 kV et ainsi r\u00e9duire de mani\u00e8re significative la taille des modules existants dans ce cadre ainsi que d\u2019augmenter leur efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique.<\/p>\n

\u00a0\"\"<\/a><\/p>\n

\u00a0Etat de l\u2019art de la r\u00e9sistance sp\u00e9cifique \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant
\nen fonction de la tension de claquage pour les transistors GaN-sur-silicium<\/em><\/p>\n

\"\"<\/a> Read more<\/a><\/p>\n

 <\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Combination of low on-state resistance and high breakdown voltage on GaN-based transistors on silicon substrate The Institut d'Electronique, de Micro\u00e9lectronique et de Nanotechnologie (IEMN) in France and the Belgium-based company EpiGaN have announced a record combination in terms of on-state resistance and breakdown [...]<\/p>","protected":false},"author":2,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[8],"tags":[],"class_list":["post-5798","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-actualites"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5798","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=5798"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5798\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=5798"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=5798"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.iemn.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=5798"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}