At IEMN, we have developed for several years a know-how in the release of devices by dry process (MEMS, active layers for transfer on flexible...). Indeed, dry chemical etching offers an interesting alternative to wet etching since it avoids stiction effects, while keeping a high selectivity and strongly limiting the corrosion of many metals. This technique is also complementary to plasma etching because it offers isotropic etching, better selectivity between materials and avoids surface damage with slower etching speeds and no ion bombardment. Currently, we are able to etch 2 materials in the Si die: Si, using a Xactix X4 frame, and SiO2, using a µEtch SPTS frame.

Expertise and know-how: 3 key points

– transfert de couches actives sur flexible

1. Transistor of the GaN die transferred on flexible after thinning of the substrate and 20µm XeF2 etching of the remaining Si layer (Carbon team)

– gravure du Si en utilisant des cycles de gravure au XeF2 en phase vapeur présentant une forte sélectivité par rapport à l’oxyde thermique et la résine.

2. Release by 10µm deep XeF2 etching of a thermoelectric characterization platform on 60nm Si membrane protected by BOX. The oxide is then etched by HF in vapor phase (MicroelecSi team)

– gravure du SiO2, en effectuant des cycles de gravure au HF en phase vapeur offrant une haute sélectivité par rapport au Si et une très bonne compatibilité avec de nombreux matériaux comme le SiC, l’Al, le Pt, l’Au, le Ni, le Cr, le TiW et l’Al2O3.

3. Sous gravure d’un BOX de 2µm par HF en phase vapeur (équipe Nam6)

Expertise and know-how: other

– Séchage au CO2 à l’état supercritique de structures libérées par voie humide pour éviter les phénomènes de stiction.