Entries by Michèle Miens

JNRDM 2014

25 March 2014 in /by

Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microéletronique Pour 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille. L’objectif de ces journées est […]

Une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage

5 March 2014 in /by

Combinaison de faible résistance d’accès et de forte tension de claquage sur des transistors à base de GaN sur substrat de silicium L’Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN basée en Belgique ont annoncé une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de […]

Séminaire COMSOL Multiphysics

12 February 2014 in /by

Modélisation avec COMSOL Multiphysics version  4.4 – 8 avril 2014 Découvrez les capacités de simulation numérique de COMSOL Multiphysics version  4.4 (logiciel de simulation numérique basé sur la méthode des éléments finis) lors d’un séminaire-atelier gratuit proposé à l’IEMN, au Laboratoire Central, le mardi 8 avril 2014. Ce logiciel permet de simuler de nombreuses physiques et applications en ingénierie, […]

PANAMA – Innovation Award 2013

6 February 2014 in /by

Le projet de recherche PANAMA reçoit le prix CATRENE innovation award 2013 à l’occasion du European Nanoelectronics Forum Ce prix de l’innovation constitue une reconnaissance de l’Union européenne au plus haut niveau dans le domaine de la micro et la nanoélectronique. Panama a été retenu comme le plus innovant des 40 projets sélectionnés dans le […]

Nanothermodynamics improves surface energy measurements

11 December 2012 in /by

Article paru dans nanotechweb le 7 décembre 2012 Researchers in Belgium and France have determined a new value for the surface energy of solid selenium and have found it to be considerably higher than previously thought. Selenium is a key element in nanotechnology and the new result will be important for a variety of applications […]

Des transistors à l’assaut de la troisième dimension

5 December 2012 in /by

Pour la première fois, des chercheurs du LAAS et de l’IEMN construisent un transistor nanométrique véritablement en 3D. Les limites de miniaturisation des composants électroniques pourraient être plus éloignées que ce que l’on pensait. Une équipe du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université […]

Projet Equipex LEAF

5 December 2012 in /by

Projet Equipex LEAF : ‘Laser procEssing plAtform for multiFunctional electronics on Flex’ Kick-off Meeting Mercredi 20 Mars 2013 IEMN, Avenue Poincaré, Villeneuve d’Ascq, France Matinée ouverte au public (inscription obligatoire)  AGENDA 9:30                     Accueil (Hall de l’IEMN) 10:00 – 10h30     Présentation du projet EQUIPEX LEAF 10:30 – 11:10       Daniel BENSAHEL ( Manager advanced front-end materials) ST Microelectronics, Crolles […]

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110)

4 December 2012 in /by

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110) hautement résistif a été réalisée à l’IEMN en collaboration avec le CRHEA [A. SOLTANI et al., IEEE Electron Device Letters, publié en ligne le 7mars 2013]. Usuellement, ces hétérostructures sont obtenus par épitaxie par […]