https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/2017/06/fig1_N__Tiercelin_small.gif
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https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.png
editor2017-06-06 08:25:012018-02-13 13:20:27A magnetoelectric random access memory cell based on the stress-mediated magnetoelectric effect that promises extremely low bit-reading and low bit-writing energies.
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4ème édition des Journées SCOPe – 22 & 23 juin 2017 – IEMN LCI
22 et 23 juin - IEMN - Amphithéâtre LCI - Villeneuve…

Journées SCOPe
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Une étude dans le cadre d’une collaboration entre l’IEMN et le Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems
fait la couverture du journal Analytical Methods (RSC)
A…

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IEMN : Romain Peretti reçoit une chaire d’excellence internationale
La Région Hauts-de-France et le Fond Européen de Développement…

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Séminaire : Terahertz sources based on quantum cascade heterostructures – Juraj Darmo
In the framework of MNO department, IEMN is pleased to announce…
Avenue Henri Poincaré
CS 60069
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