Entrées par Michèle M.

RADAR 2014 – International Radar Conference

The French SEE Society (Société de l’Electricité, de l’Electronique, et des Technologies de l’Information et de la Communication) organises RADAR 2014 in Lille, Grand Palais, from 13 to 17 of October 2014. The conference will be organized in the frame of the international relations set up between the Institution of Engineering and Technology (IET), the Institute of Electrical and […]

Le projet « OVMI » obtient le Micron d’Or

Les Microns d’Or – l’Innovation récompensée. Les Microns d’or attribués à l’occasion du salon Micronora récompensent des réalisations microtechniques innovantes présentées pour la première fois dans le cadre du salon. Ils s’imposent à chaque édition chez les professionnels comme un gage incontesté de l’innovation L’IEMN obtient le Micron d’Or au salon international des michrotechniques et […]

EEA – Les journées de la section Electronique

Les journées EEA de la section Electronique, autour de la thématique « Electronique souple », auront lieu à Lille les 20 et 21 Octobre 2014, Amphithéâtre IEMN-LCI. Vous êtes tous, et notamment les doctorants et jeunes docteurs diplômés œuvrant dans ces domaines, invités à soumettre vos travaux et à venir les présenter lors des sessions posters sur […]

Coherent terahertz

  L’IEMN et l’université d’OSAKA ont démontré une transmission térahertz cohérente ultra-sensible. A la fréquence 200 GHz, 10 Gbit/s ont été transférés avec une puissance inférieure à 2 µW. Cette étape importante vers les transmissions THz cohérentes a été réalisée dans le cadre de l’ANR franco-japonaise « WITH », dans laquelle l’IEMN a été en charge avec […]

JNRDM 2014

Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microéletronique Pour 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille. L’objectif de ces journées est […]

Une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage

Combinaison de faible résistance d’accès et de forte tension de claquage sur des transistors à base de GaN sur substrat de silicium L’Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN basée en Belgique ont annoncé une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de […]

Séminaire COMSOL Multiphysics

Modélisation avec COMSOL Multiphysics version  4.4 – 8 avril 2014 Découvrez les capacités de simulation numérique de COMSOL Multiphysics version  4.4 (logiciel de simulation numérique basé sur la méthode des éléments finis) lors d’un séminaire-atelier gratuit proposé à l’IEMN, au Laboratoire Central, le mardi 8 avril 2014. Ce logiciel permet de simuler de nombreuses physiques et applications en ingénierie, […]

PANAMA – Innovation Award 2013

Le projet de recherche PANAMA reçoit le prix CATRENE innovation award 2013 à l’occasion du European Nanoelectronics Forum Ce prix de l’innovation constitue une reconnaissance de l’Union européenne au plus haut niveau dans le domaine de la micro et la nanoélectronique. Panama a été retenu comme le plus innovant des 40 projets sélectionnés dans le […]

Séminaire du Groupe Physique

Optical and vibrational properties of MoS2 le 26 novembre 2013 – 11h00 – IEMN, LCI – Salle du Conseil Intervenant Ludger Wirtz- Physics and Materials Science research unit, University of Luxembourg Résumé Following the hype on graphene, other layered materials are recently achieving a lot of attention. One of them is molybdenum disulfide. Contrary to […]

Séminaire du Groupe Physique

Characterization of Phosphorus Doped Silicon Nanocrystals Embedded in SiO2 le 17 octobre 2013 – 14h00 – IEMN, LCI – Salle du Conseil Intervenant Sebastian Gutsch – University of Freiburg sebastian.gutsch@imtek.uni-freiburg.de Résumé Phosphorus (P) doped silicon nanocrystals (Si NCs)   are prepared by deposition and annealing of P doped silicon-rich oxide /   silicon oxide (SiO2) multilayers. The […]