La ressource intégration permet d’amincir et de polir une large palette de matériaux (semi-conducteurs, métaux, céramiques, etc…) avec grande précision ou rapidité d’exécution suivant le besoin. Ces étapes d’amincissement/polissage sont utilisées afin par exemple de préparer un substrat avant fabrication pour limiter les défauts de surface, amincir des dispositifs après fabrication, planariser des couches d’interconnexion (interlayer dielectric thin films: ILDs) ou des  structures d’isolement par tranchée peu profonde (STI: shallow trench isolation). En fonction de l’application, des spécifications d’épaisseurs et de rugosité de surface, il est possible de réaliser polissage mécanique doux (Logitech PM5) ou rapide (Grinder G&N) ainsi qu’un polissage mécano-chimique (CMP Alpsitec E460). De plus, l’association de la polisseuse à une colleuse automatique (Logitech 1WBS1) permet des collages très reproductibles et garantit un parallélisme optimal entre l’échantillon et le porte-échantillon. Un système de nettoyage mégasonic (EDI ou chimique) peut être utilisé afin de nettoyer les échantillons après ces processus.

Savoir-faire: points marquants

Amincissements et polissages mécaniques doux :

différents procédés standards ont été développés en polissage doux pour amincir et polir les matériaux tels que: Si, GaAs, InP, Saphir, GaN, Al, Quartz. Un contrôle automatique de la planéité permet d’obtenir un polissage plan, convexe ou concave avec une précision de +/- 5 µm et une rugosité de l’ordre du nanomètre. L’amincissement d’échantillons d’un diamètre maximal de 3″ et d’épaisseur maximum de 2mm est possible jusqu’à quelques dizaines de µm, suivant leur nature.

Reports sur substrats flexibles

2. Silicon components reported on flexible substrate after grinding and chemical etching

Polissage Mécano Chimique pour – Interlevels dielectrics ILDs, – Shallow trench isolation STI technology, -Damascene process

 

2. Ni pillars thinning and planarization for the fabrication of pillars-based metamaterial (SAW process)