Gravure humide et préparation de surface: zones de chimie

Régroupés sur 2 salles, 17 postes de travail avec flux laminaire dédiés à des familles de produits chimiques permettent d’utiliser acides, bases, solvants, résines,… pour effectuer un grand nombre d’opérations sur substrats telles que:

-Gravure humide sélective, anisotrope ou isotrope, gravure lente contrôlée, libération de micro/nanostructures ou transferts de surfaces actives, lift off, création de nanofils par gravure, création de silicium poreux,…

-Nettoyage des surfaces : décontaminations organiques/ métalliques/ particulaire, préparation de surface, désoxydation, nettoyage megasonic,…

La première salle est particulièrement adaptée pour la technologie silicium de par ses bains de gravure humide thermostatés (KOH, TMAH) et ses produits VLSI. La deuxième salle, initialement prévue pour les composés III/V, est maintenant utilisée pour toute la palette de substrats. Les savoir faire

Savoir-faire: quelques points marquants

– gravure anisotrope du silicium au KOH à travers un masque de gravure

1. gravure au KOH d’un réseau incliné dans du silicium, angle de 54.75° (groupe opto).

– gravure contrôlée de matériaux III/V

1. libération de microstructures par gravure humide III/V (groupe Anode)